| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
65 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
7906200 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
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Infineon(英飞凌)SOT23-3 |
25900 |
23+ |
新到现货,只有原装 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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8186 |
2303+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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UMW 友台SOT-23 |
60000 |
23+ |
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原装正品，实单请联系 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOT-23 |
60000 |
21+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-SOT23-3 |
18342 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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7000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INFINEONSOT23-3 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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210494 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT23-3 |
187048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
7906200 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司6年
留言
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INFINEONSOT23 |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEONSOT-23 |
30000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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BSS308PE图片
BSS308PEH6327价格
BSS308PEH6327价格：￥0.4058品牌：Infineon
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BSS308PEH6327资讯
BSS308PEH6327XTSA1 SOT23-3 丝印YF MOS场效应管 Infineon
BSS308PEH6327分立半导体产品>晶体管-FET，MOSFET-单个，表面贴装型-P-通道-30V-2A（Ta）-500mW（Ta）-SOT-23-3。
BSS308PEH6327中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS308PE制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS? P3 Small-Signal-Transistor
BSS308PE H6327功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS308PE L6327功能描述:MOSFET OptiMOS P2 Sm-Signal Transistor P-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS308PEH6327制造商:Infineon Technologies AG
BSS308PEH6327XT功能描述:MOSFET OptiMOS P3 Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS308PEH6327XTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:P-KANAL - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23
BSS308PEH6327ZT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.0A SOT23
BSS308PEL6327HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
