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深圳市振宏微科技有限公司

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BSP135

Infineon(英飞凌)NA

7000

23+

原装正品!假一罚十!

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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BSP135

INFINEON/英飞凌SOT-223

1000

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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BSP135

INFINEON/英飞凌SOT223

7906200

深圳市赛尔通科技有限公司

14年 留言
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BSP135

NIFINEONSOT223

65400

23+

深圳市河锋鑫科技有限公司

3年 留言
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BSP135

INFINEON/英飞凌SOT-223

300000

18+

原装正品 可含税交易

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

5年 留言
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BSP135

Infineon(英飞凌)N/A

12000

22+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市特莱科技有限公司

6年 留言
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BSP135

INFINEON/英飞凌TO-223

25000

21+23+

16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

深圳市永贝尔科技有限公司

7年 留言
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    廖小姐

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BSP135

Infineon(英飞凌)SOT-223

4550

2023+

全新原装正品

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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BSP135H6327

INFINEONNA

40928

23+

1+
:¥0.888

热卖原装进口

深圳市天芯威科技有限公司

1年 留言
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BSP135H6327XTSA1

Infineon(英飞凌)SOT-223

25900

23+

新到现货,只有原装

深圳市金芯世纪电子有限公司

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INFINEON

100000

代理渠道/只做原装/可含税

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT-223-4

8498

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT-223

12048

23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223

16316

23+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市英科美电子有限公司

9年 留言
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INFINEON/英飞凌PG-SOT223-4

18336

2021+

原装进口假一罚十

深圳市振宏微科技有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

7000

23+

原装正品!假一罚十!

深圳市航润创能电子集团有限公司

4年 留言
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INFINEON/英飞凌NA

7000

21+

只做原装,假一罚十

深圳良洲科技有限公司

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INFINEONNA

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原装现货,实单价格可谈

深圳市振鑫微电子科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

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深圳市汇莱威科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT223

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BSP135H6327XTSA1价格

BSP135H6327XTSA1价格:¥3.1507品牌:Infineon

生产厂家品牌为Infineon的BSP135H6327XTSA1多少钱,想知道BSP135H6327XTSA1价格是多少?参考价:¥3.1507。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSP135H6327XTSA1批发价格及采购报价,BSP135H6327XTSA1销售排行榜及行情走势,BSP135H6327XTSA1报价。

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BSP135制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 0.12A SOT223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-channel MOSFET,BSP135 0.1A 600V

BSP135 E6327功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSP135 E6906功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSP135 L6327功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSP135 L6433功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSP135 L6906功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 600V .02A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSP135_10制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSP135E6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BSP135E6327T制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BSP135E6327XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R