| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌专营模块 |
1500 |
23+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEON原厂原装正品 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
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INFINEON原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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INFINEONMODULE |
1860 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
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Infineon模块 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IGBT |
55 |
23+ |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
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英飞凌模块 |
1000 |
19+/20+ |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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907 |
23+ |
只做原装,提供一站式配单服务,代工代料。BOM配单 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳中芯器材有限公司11年
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INFINEONIGBT |
18 |
21+ |
主营IGBT模块 进口原装现货 |
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深圳市迈锐达科技有限公司15年
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INFINEONAG-34MM-1 |
6 |
17+ |
低于市场价,实单必成,QQ1562321770 |
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BSM100GB120DLCK价格
BSM100GB120DLCK价格：￥557.7437品牌：Infineon
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BSM100GB120DN2 进口原装 现货热卖 联系人：刘R 0755-83991289 企业QQ：2853522062
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更多BSM100GB120D功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
BSM100GB120DLC功能描述:IGBT 模块 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DLCK功能描述:IGBT 模块 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DN2_B2功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DN2_E3254功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DN2_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DN2E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT POWER MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DN2F功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DN2F_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
