| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌MODULE |
1500 |
19+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌专营模块 |
1500 |
23+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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1050 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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EUEPC模块 |
650 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
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INFINOENmodule |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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907 |
23+ |
只做原装,提供一站式配单服务,代工代料。BOM配单 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEON原厂原装正品 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌MODULE |
3638 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
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EUPECIGBT模块 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
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英飞凌模块 |
1000 |
19+/20+ |
主打产品价格优惠.全新原装正品 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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EUPEC模块 |
18 |
23+ |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
1200 |
22+ |
本公司只做原装,特价出售! |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市鑫炜纳电子有限公司6年
留言
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INFINEON原厂原封装 |
93628 |
2021+ |
原装进口现货 假一罚百 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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INFINEONMODULE |
1860 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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BSM100图片
BSM100GD120DLC价格
BSM100GD120DLC价格：￥1793.6245品牌：INF
生产厂家品牌为INF的BSM100GD120DLC多少钱，想知道BSM100GD120DLC价格是多少？参考价：￥1793.6245。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSM100GD120DLC批发价格及采购报价，BSM100GD120DLC销售排行榜及行情走势，BSM100GD120DLC报价。
BSM100GB60DLC资讯
BSM100GB170DLC 全新现货，质量保证
BSM100GB170DLCIGBT模块1700V100ADUAL
BSM100GB170DN2 全新现货，质量保证
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BSM100GB60DLC中文资料Alldatasheet PDF
更多BSM100制造商:Brady Corporation
BSM100D12P1C004制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SIC MODULE - Bulk
BSM100GAL120DLCK功能描述:IGBT 模块 1200V 100A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GAL120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 100A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GAR120DN2功能描述:IGBT 晶体管 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BSM100GB120D功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C)
BSM100GB120DLC功能描述:IGBT 模块 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DLCK功能描述:IGBT 模块 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 100A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM100GB120DN2_B2功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号：
BSM100
- 制造商：
Brady Corporation
- 类别：
工具 > 配件
- 包装：
散装
- 描述：
RUG) BSM100 RUG, 36\
