| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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AMMPNA/ |
1 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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MINISMD其他电子元 |
17 |
5500 |
一级代理全新原装现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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NXPSMD |
1680 |
2018+ |
NXP专营品牌进口原装现货假一赔十 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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AMMPSMD |
1 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NXP-恩智浦TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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NXPNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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NXP/恩智浦TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市湘达电子科技有限公司3年
留言
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AMPLEON |
20 |
2022+ |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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AMMPSMD |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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AMMPSMD |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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AMMPSMD |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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AMMPSMD |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Ampleon USA Inc.SOT922-1 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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Ampleon假一赔十 |
44 |
1109+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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Ampleon |
2544 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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Ampleon假一赔十 |
54195 |
2023+ |
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16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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AMPLEONSOT922-1 |
3000 |
2021+ |
十年专营原装现货,假一赔十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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PhilipsSemiconducto2013+ |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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AMPLEONSOT922-1 |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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AMPLEONSOT922-1 |
1500 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
BLS6G2933S-130采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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BLS6G2933S-130,112价格
BLS6G2933S-130,112价格：￥2673.1263品牌：Philips Semiconducto
生产厂家品牌为Philips Semiconducto的BLS6G2933S-130,112多少钱，想知道BLS6G2933S-130,112价格是多少？参考价：￥2673.1263。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BLS6G2933S-130,112批发价格及采购报价，BLS6G2933S-130,112销售排行榜及行情走势，BLS6G2933S-130,112报价。
BLS6G2933S-130,112中文资料Alldatasheet PDF
更多BLS6G2933S-130功能描述:射频MOSFET电源晶体管 130W, 2.9-3.3GHz Radar Appl. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLS6G2933S-130,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 TRANS S-BAND RADAR LDMOS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLS6G2933S-130_10制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:LDMOS S-band radar power transistor
