| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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NXP/恩智浦SOT975B |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
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AMPLEONSOT975(CDFM) |
8006 |
22+ |
只做原装挂了就有货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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NXP晶体管 |
174 |
17+ |
“芯达集团”专营军工、宇航级IC原装进口现货 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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NXPSOT975B |
9860 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
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NXPSOT975B |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
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NXP |
42 |
0742+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
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8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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NXPSOT-502 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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NXPSOT975B |
29516 |
20+ |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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NXP |
42 |
0742+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
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NXP |
210000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
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NXP |
42 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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MINISMD其他电子元 |
17 |
5500 |
一级代理全新原装现货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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NXPSMD |
5500 |
2018+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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NXPO807 |
6680 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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NXP |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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PHISOT975 |
12300 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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NXP-恩智浦TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
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NXPNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
BLF6G38-10采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BLF6G38-10图片
BLF6G38-100,112价格
BLF6G38-100,112价格：￥679.9274品牌：NXP
生产厂家品牌为NXP的BLF6G38-100,112多少钱，想知道BLF6G38-100,112价格是多少？参考价：￥679.9274。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BLF6G38-100,112批发价格及采购报价，BLF6G38-100,112销售排行榜及行情走势，BLF6G38-100,112报价。
BLF6G38-10资讯
BLF6G38-100晶体管"芯达集团"专营军工、宇航级IC原装进口现货
我们公司承诺只销售原装正品IC，欢迎各商家，厂家致电查询，本公司将以“诚信为本，顾客至上”的经营方针为您提供完善的服务！让芯达科技与您共发展，与世界共前进，与ＩＣ产业一起腾飞！
BLF6G38-10中文资料Alldatasheet PDF
更多BLF6G38-10功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G38-10 /T3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G38-10,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G38-10,118功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G38-100制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:WiMAX power LDMOS transistor
BLF6G38-100,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 34A 3-Pin RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G38-10G功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G38-10G /T3功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G38-10G,112功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
BLF6G38-10G,118功能描述:射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
