| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesSOT23-3 |
13000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONPG-TSLP-3 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEONPG-TSLP-3 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
BFR750L3RHE6327XTSA1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BFR750L3RHE6327XTSA1图片
BFR750L3RHE6327XTSA1中文资料Alldatasheet PDF
更多BFR750L3RHE6327XTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 4V 0.09A 3-Pin TSLP 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RF BIP TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS RF BIPO NPN 90MA TSLP-3-9
产品属性
- 产品编号：
BFR750L3RHE6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
4.7V
- 频率 - 跃迁：
37GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
- 增益：
21dB
- 功率 - 最大值：
360mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 60mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
90mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-101，SOT-883
- 供应商器件封装：
PG-TSLP-3
- 描述：
RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3
