选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市大时代电子有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
260 |
12+ |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA |
6000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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NXPSOT-23 |
7515 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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NXP/恩智浦SOT-23 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
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NXP(恩智浦)NA |
6000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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NXPSOT23 |
6000 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA/ |
230 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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NXPSOT23 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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PHISOT-23 |
54289 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
300 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)NA |
6000 |
23+ |
原装现货订货价格优势 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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NXPSOT23 |
30764 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT-23 |
15000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT-23 |
90000 |
23+ |
只做原装 全系列供应 价格优势 可开增票 |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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NXP(恩智浦)N/A |
6000 |
23+ |
原装,可配单 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT-23 |
15000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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NXP(恩智浦)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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NXPSOT-23 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
9852 |
1937+ |
只做进口原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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NXP(恩智浦)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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BFR30,215价格
BFR30,215价格:¥0.4516品牌:NXP
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BFR30中文资料Alldatasheet PDF
更多BFR30功能描述:PLASTIC-CASE JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS
BFR30 T/R功能描述:射频双极小信号晶体管 N-CH 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
BFR30,215功能描述:JFET N-CH 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
BFR30,235功能描述:射频JFET晶体管 N-Channel Single ’+/- 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BFR30LT1功能描述:射频JFET晶体管 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BFR30LT1/D功能描述:JFET Amplifier
BFR30LT1G功能描述:射频JFET晶体管 25V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS(最大值/最小值): 电阻汲极/源极 RDS(导通): 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流(Vgs=0 时的 Idss):25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
BFR30T/R功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 4MA I(DSS) | SOT-23