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深圳市得捷芯城科技有限公司

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深圳市易讯博科技有限公司

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千层芯半导体(深圳)有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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深圳市亿联芯电子科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳廊盛科技有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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深圳市弘为电子有限公司

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深圳市威尔健半导体有限公司

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深圳市鼎欣微电子有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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BF1212WR,115功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 N-CH DUAL GATE 6V RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel

产品属性

  • 产品编号:

    BF1212WR,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    N 通道双门

  • 频率:

    400MHz

  • 增益:

    30dB

  • 额定电流(安培):

    30mA

  • 噪声系数:

    0.9dB

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    CMPAK-4

  • 描述:

    MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R