选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
NXP/恩智浦SOT343 |
7906200 |
|||||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
NXP343 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
PHILIPS/飞利浦43944 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
|
NXP/恩智浦NA |
6000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
NXPSOT-143 |
4007 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
NXP(恩智浦)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
|
NXP(恩智浦)NA |
6000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
|
NEXPERIA/安世 |
12000 |
23+ |
||||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
NXPSOT343 |
6000 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
PHILIPS/飞利浦NA/ |
12000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
|
原装NXPSOT343 |
54789 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
PHILIPSSOT-343 |
31000 |
23+ |
全新原装现货 |
|||
|
深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
|
NXP/恩智浦SOT-343 |
10000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
PHILIPSSOT-143 |
6852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
|
NXP(恩智浦)NA |
6000 |
23+ |
原装现货订货价格优势 |
|||
|
深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
|
NXPSOT343 |
25922 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
|||
|
深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
|
PHILIPSSOT-143 |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
|
深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
|
NXP(恩智浦)N/A |
6000 |
23+ |
原装,可配单 |
|||
|
中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
|
NXPSOT343 |
49000 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
SOT-343NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
BF1105WR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BF1105WR图片
BF1105WR中文资料Alldatasheet PDF
更多BF1105WR制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1105WR T/R功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1105WR,115功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1105WR,135功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel