| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-3PN |
5000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ST/意法NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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NXPTO-3P |
12300 |
23+ |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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BOURNS/伯恩斯 |
132050 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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SECTO3P |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-218 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-218 |
45 |
23+ |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-218 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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ON/安森美TO-3P |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-3P |
99298 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ONTO218 |
6000 |
08+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ON/安森美TO-218 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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BOURNS |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45780 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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ST意法半导体TO3P |
2268 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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STTO3P |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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20000 |
23+ |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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ST/PHTO-3P |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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STTO-3P |
10000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-3PN |
10000 |
全新 |
BDV65B采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BDV65B图片
BDV65BG价格
BDV65BG价格：￥5.6407品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的BDV65BG多少钱，想知道BDV65BG价格是多少？参考价：￥5.6407。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BDV65BG批发价格及采购报价，BDV65BG销售排行榜及行情走势，BDV65BG报价。
BDV65B中文资料Alldatasheet PDF
更多BDV65B功能描述:达林顿晶体管 10A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDV65B_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons
BDV65B_08制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons
BDV65BG功能描述:达林顿晶体管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDV65B-S功能描述:达林顿晶体管 100V 12A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDV65BTU功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BDV65B
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 5A，4V
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-218-3
- 供应商器件封装：
TO-218
- 描述：
TRANS NPN 100V 12A TO218
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDV67B,BDW83C,FH9D,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-62
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
12
- wtest：
125
