| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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NXPTO-126 |
2000 |
08+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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STNA |
16900 |
23+ |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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ST/STMicroelectronics/意法半导TO126 |
13926 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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NXPTO-126 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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FATO126 |
21322 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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STTO-126 |
30000 |
23 |
代理全新原装现货 价格优势 |
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深圳市蓝山航业科技有限公司9年
留言
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ph |
500000 |
22+ |
行业低价,代理渠道 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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STTO-126 |
25000 |
20+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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NSC |
121 |
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深圳市远进半导体有限公司3年
留言
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STTO-126 |
25000 |
22 |
3月31原装,微信报价 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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STTO-126 |
5256 |
23+ |
原厂原装正品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-126 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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STTO-126 |
30000 |
23+ |
代理全新原装现货,价格优势 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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ST |
50 |
CC553 |
公司优势库存 热卖中! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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STTO126 |
70230 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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STTO126 |
70230 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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STTO-126 |
3715 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
22+ |
支持样品 原装现货 提供技术支持! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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STTO126 |
30000 |
22+ |
原装正品 |
BD434采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BD434图片
BD434S价格
BD434S价格：￥1.2443品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的BD434S多少钱，想知道BD434S价格是多少？参考价：￥1.2443。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BD434S批发价格及采购报价，BD434S销售排行榜及行情走势，BD434S报价。
BD434中文资料Alldatasheet PDF
更多BD434功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD434S功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD434STU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BD434
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，5V
- 频率 - 跃迁：
3MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
SOT-32-3
- 描述：
TRANS PNP 22V 4A SOT32-3
