| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市嘉合泰电子有限公司3年
留言
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STTO-3P |
1421 |
21+ |
支持实单 申请价更优 18922892780 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法NA/ |
3268 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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TINA |
2898 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-218 |
15000 |
17+ |
原装现货热卖 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ST/意法TO-218 |
18 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-218 |
68900 |
ST |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-3P |
97628 |
22+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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STTO-218 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-3PN |
10000 |
全新 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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STTO-3P |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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STTO-3P |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ST/意法TO-218 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-3P |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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STTO-3P |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-3P |
4750 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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N/A原厂封装 |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46180 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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ST/意法TO-3P |
97628 |
22+ |
终端免费提供样品 可开122%增值税发票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ST/意法TO-218 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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ST意法半导体TO-218 |
3000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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更多BD249功能描述:两极晶体管 - BJT 125W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD249A功能描述:两极晶体管 - BJT 125W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD249A-S功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 25A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD249B功能描述:两极晶体管 - BJT 125W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD249B-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 25A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD249C功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 100V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD249CG功能描述:两极晶体管 - BJT 25A 100V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD249C-S功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 25A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD249-S功能描述:两极晶体管 - BJT 45V 25A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
45V
- 最大电流允许值：
25A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD257/45,TIP35,3DD71B,
- 最大耗散功率：
125W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-62
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
25
- wtest：
125
