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深圳市航润创能电子集团有限公司

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ON/安森美SMD

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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ON Semiconductor CorporationSMD

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ON

2400

2149

原装现货

深圳市杰顺创科技有限公司

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ONSOT23

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FAIRCHILD/仙童TO220

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BD243CMOS(场效应管)

ST/意法TO-220

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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BD243C其他被动元件

ON/安森美TO-220-3

31518

17+

原装正品 可含税交易

深圳市特瑞斯科技有限公司

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BD243C

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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BD243

TEXETNA

80000

2020+

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深圳市威雅利发展有限公司

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BD243

FSCTO-220

25

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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BD243

FSCTO-220

38560

20+

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深圳市航宇科工半导体有限公司

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原厂NA

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深圳市汇莱威科技有限公司

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FSCTO-220

562000

2320+

16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品

深圳市得捷芯城科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童NA/

25

23+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳市汇莱威科技有限公司

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FSC

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深圳市特顺芯科技有限公司

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FAIRCHILDTO-220

8866

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深圳市振鑫微电子科技有限公司

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SGS

589610

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深圳市汇莱威科技有限公司

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FAIRCHILD/仙童TO-220

265209

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BD243

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BD243C价格：￥1.3025品牌：MULTICOMP

生产厂家品牌为MULTICOMP的BD243C多少钱，想知道BD243C价格是多少？参考价：￥1.3025。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BD243C批发价格及采购报价，BD243C销售排行榜及行情走势，BD243C报价。

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BD243A-S功能描述:两极晶体管 - BJT 60V 6A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD243ATU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD243B功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD243B/D功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors

BD243B_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors

BD243BG功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 80V 65W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD243B-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 6A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BD243BTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

晶体管资料

  • 型号：

    BD243

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    45V

  • 最大电流允许值：

    6A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BD595,BD605,TIP41,3DD67B,

  • 最大耗散功率：

    65W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    B-10

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    45

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    999900

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    6

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    65

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