选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ST/意法TO-2-3 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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ONTO-220 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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ONTO-220 |
8991 |
19+ |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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ST/ONTO-220 |
10346 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-263 |
1286 |
23+ |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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Freescale原厂封装 |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳市英特法电子科技有限公司11年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
6000 |
23+ |
我们只做原装正品,诚心经营 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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PHILIPS/飞利浦TO220 |
8500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市中赛美电子科技有限公司8年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
12700 |
23+ |
买原装认准中赛美 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ONTO-220 |
95 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
10000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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FAIRCHILD/仙童ZETEX |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
48800 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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PTO-220 |
181 |
23+ |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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STTO-220 |
5000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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MOT |
10 |
95 |
公司优势库存 热卖中!! |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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STMicroelectronicsNA |
30000 |
22+ |
100%全新原装 假一赔十 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-220-3 |
15434 |
22+ |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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STMN/A |
21322 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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STTO-220 |
30000 |
22+ |
原装正品 |
BD241C采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BD241C图片
BD241C价格
BD241C价格:¥1.1279品牌:SPC
生产厂家品牌为SPC的BD241C多少钱,想知道BD241C价格是多少?参考价:¥1.1279。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BD241C批发价格及采购报价,BD241C销售排行榜及行情走势,BD241C报价。
BD241C中文资料Alldatasheet PDF
更多BD241C功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Pwr Transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD241C_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors
BD241C_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors 80a??100 VOLTS
BD241CFP功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
BD241CG功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD241C-S功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD241CTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BD241C
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.2V @ 600mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
300µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 1A,4V
- 频率 - 跃迁:
3MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN 100V 3A TO220
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
100V
- 最大电流允许值:
3A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD243C,BD581,BD591,TIP31C,3DD64D,
- 最大耗散功率:
40W
- 放大倍数:
- 图片代号:
B-10
- vtest:
100
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
40