| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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ST/意法SOT-32-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体SOT-32-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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ST/意法TO126 |
9852 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ST/意法TO1206 |
7906200 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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STMSOT-32-3 (TO-126-3) |
20000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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150 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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TO-126 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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STTO-126 |
8951 |
23+ |
长期有货,价格优惠,欢迎来电咨询。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法SOT-32-3 |
44949 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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STTO-126 |
95000 |
2113+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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ST/意法TO-126 |
5000 |
22+ |
原厂原装现货 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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STM |
24000 |
21+/22+ |
SOT-32-3 (TO-126-3) |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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ST(意法半导体)TO-126 |
10000 |
22+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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STMSOT-32-3 (TO-126-3) |
24000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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STTO-126 |
10000 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ST/意法SOT-32-3 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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ST(意法半导体)TO-126 |
25 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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STTO220 |
62000 |
04+ |
原装正品现货优势18 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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STNN/A |
1000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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ST/意法TO126 |
28000 |
21+ |
原厂原装货/代理渠道 |
BD139采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BD139图片
BD139价格
BD139价格：￥0.3776品牌：STMICROELECTRONICS
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BD139资讯
BD13916STU 通信IC 贸泽微只做原装。
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BD139-16 晶体管 稳压IC 军工IC，进口原装。
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BD13916STU 原装现货
聆越森科技有限公司联系人：刘生联系电话；0755-83256279/18773528810
BD139 深圳市鑫欧美电子有限公司
型号：BD139 品牌:NXP 封装:TO126 数量:10000 年份:11+12+ 专业经营集成电路IC，二、三极电容，电阻，电容 电话：0755-82708963/33167061张小姐，黄先生，QQ1483286993/592442707 http
BD139中文资料Alldatasheet PDF
更多BD139功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Audio Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD139_09制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:NPN POWER TRANSISTORS
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BD139-10S制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
BD13910STU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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BD139-25功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
产品属性
- 产品编号：
BD139
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 80V 1.5A TO126
