| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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ISCTO-126 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONTO-126 |
89000 |
18+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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SECOSTO126 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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SECOS/喜可士TO126 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126F |
12246 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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FSCTO-126 |
9986 |
20+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO-126F |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市钦宇承科技有限公司2年
留言
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SECOS/喜可士TO126 |
9000 |
16+ |
只做原装/假一赔百 |
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深圳市博亿诚科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTORNA |
1560 |
20+ |
普通 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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NXPTO126 |
2845 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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PHITO126 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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CJ/长电TO126 |
32970 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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TO126 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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PHITO-126 |
2000 |
1912 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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STTO126 |
6818 |
2310+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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PHITO-126F |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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CJ/长电126 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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CJ/长电TO126 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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ISC/Inchange Semiconductor ComTO-126 |
22879 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
BD137采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BD137图片
BD13716STU价格
BD13716STU价格：￥0.7605品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的BD13716STU多少钱，想知道BD13716STU价格是多少？参考价：￥0.7605。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BD13716STU批发价格及采购报价，BD13716STU销售排行榜及行情走势，BD13716STU报价。
BD137中文资料Alldatasheet PDF
更多BD137功能描述:两极晶体管 - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD137-10制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS
BD13710S功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD13710STU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD137-16制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistors
BD13716S功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD13716STU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD137-25功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD137-6制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS
BD1376S功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BD137
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 60V 1.5A TO126
