| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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STMSOT-32-3 (TO-126-3) |
10850 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体SOT-32-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市芯巴巴科技有限公司2年
留言
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ST(意法半导体)SOT-32 |
10000 |
22+ |
只做原装现货 假一赔万 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ST专家SOT-32(TO-126) |
7958 |
1629+ |
只做原装正品 |
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深圳市艾兴电子有限公司年
留言
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ST/意法半导体SOT-32-3 |
6000 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ST/意法SOT-32-3 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
6081 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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FAIRCHILDTO-126F |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-126F |
19 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体SOT-32-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO126 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ST/意法TO-126 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市艾兴电子有限公司年
留言
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ST/意法半导体SOT-32-3 |
6000 |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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STMSOT-32-3 (TO-126-3) |
7750 |
22+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ST/意法NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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ST/意法SOT-32 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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STSOT-32(TO |
6820 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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ST/意法半导体SOT-32-3 |
8800 |
21+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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ST/意法半导体SOT-32-3 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-220 |
10000 |
17+ |
原装现货热卖 |
BD135采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BD135图片
BD135价格
BD135价格：￥0.3695品牌：STMICROELECTRONICS
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BD135资讯
BD135 洪兴微电子商行 0755-82548551/13590219551
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BD135 全新原装 源思创电子
深圳市源思创电子有限公司范小姐0755-82529786/8320449813723462788
BD135中文资料Alldatasheet PDF
更多BD135功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Audio Amplifier RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD135_01制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS
BD135_08制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary low voltage transistor
BD135-10制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS
BD13510S功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD13510STU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD135-16功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon Trnsistr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD13516S功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD13516STU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD135-25功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
产品属性
- 产品编号：
BD135
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
- 供应商器件封装：
TO-126
- 描述：
TRANS NPN 45V 1.5A TO126
