选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
510000 |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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NEXPERIA/安世SOT23 |
7906200 |
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深圳信泰电子器材有限公司10年
留言
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NXPSOT-23 |
4860 |
24+ |
十年信誉,只做全新原装正品现货,以优势说话 !! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦NA |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)N/A |
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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NXPSOT23 |
89000 |
18+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
5980 |
2021+ |
只做原装,优势渠道,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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FAIRCHILDSOT23 |
5300 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT-23 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
24000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
500000 |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOT23 |
7906200 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONSOT23 |
89000 |
18+ |
全新原装现货,假一罚十 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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安世(Nexperia)SOT-23 |
26400 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)SOT-23 |
2834 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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NEXPERIASOT-23-3 |
41500 |
21+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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NEXPERIA/安世SOT-23 |
600000 |
21+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP(恩智浦)标准封装 |
12048 |
23+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
BCW32采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BCW32图片
BCW32,215价格
BCW32,215价格:¥0.0882品牌:NXP
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更多BCW32功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW32 /T3功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW32 T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW32,215功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW32,235功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW32_98制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:SOT-23 PACKAGE
BCW32_Q功能描述:两极晶体管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BCW32215制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 32V 100MA 3-S
BCW32CSM功能描述:PNP
BCW32L功能描述:BJT
产品属性
- 产品编号:
BCW32
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
250mV @ 500µA,10mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3