选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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ONSOT233SNGL |
6000 |
08+ |
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司6年
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ON原厂封装 |
10000 |
16+ |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
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onsemiSOT-23-3(TO-236) |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiTO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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onsemiD2PAK-7 |
21000 |
21+ |
专业分立半导体,原装渠道正品现货 |
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BC859BLT3图片
BC859BLT3G中文资料Alldatasheet PDF
更多BC859BLT3功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC859BLT3G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2