选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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ONTSSOP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ONTSSOP |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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ONTSSOP |
7300 |
2022+ |
原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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onsemiSOT-563,SOT-666 |
9350 |
24+ |
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BC858CDXV6T5G中文资料Alldatasheet PDF
更多BC858CDXV6T5G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2