| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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15000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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ONS0T23 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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onsemiTO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
37048 |
23+ |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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MOTOROLASOT-23 |
32568 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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原装ONSOT23 |
54789 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市深创辉科技有限公司16年
留言
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ON |
790 |
11+ |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ONSemiSOT-23 |
38954 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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ONSOT-23 |
35689 |
1922+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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深圳市凯越丰电子科技有限公司11年
留言
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ON/安森美3-PinSOT-23 |
4859 |
20+ |
一周左右货期全新进口原装 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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ONSOT233SNGL |
6000 |
08+ |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOT-23(SOT-23-3) |
7600 |
2021+ |
原装现货，欢迎询价 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
376629 |
22+ |
特价原装现货,能提供更多数量 一片起订 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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ON(安森美)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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ON/安森美SOT-23(SOT-23-3) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-23(SOT-23-3) |
6000 |
22+ |
只做原装,假一赔十 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ON/安森美SOT-23 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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RHCQFP |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
BC858BLT采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BC858BLT图片
BC858BLT3G价格
BC858BLT3G价格：￥0.0575品牌：ON
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BC858BLT1G中文资料Alldatasheet PDF
更多BC858BLT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858BLT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858BLT3功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858BLT3G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
