| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIODES/美台SOT323 |
7906200 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT323 |
3000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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YANGJIE(扬杰)SOT3233 |
6000 |
23+ |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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NXP/恩智浦SOT323 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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SIESOT-323 |
31000 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市力拓辉电子有限公司13年
留言
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扬杰科技 |
250 |
21+ |
全新原装鄙视假货15118075546 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Infineon/Infineon TechnologiesSOT323 |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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NXPSOT323 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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NXPSOT323 |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFIENONSOT323 |
1452 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT323 |
3000 |
23+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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INFINEONSOT-323 |
90000 |
23+ |
全新原装正品 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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PhilipsSot-323 |
31999 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT323 |
68900 |
INFINEON |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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PHILISPSOT-323 |
180000 |
2004 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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PHILIPS/飞利浦NA/ |
3000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEONSOT323 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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NXPSOT323 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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ONTO-220-3 |
50000 |
22+ |
ON二三极管全系列在售 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦SOT323 |
3000 |
1833+ |
原装现货!天天特价!随时可以货! |
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BC858AWT1G价格
BC858AWT1G价格：￥0.1246品牌：ONS
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BC858AW中文资料Alldatasheet PDF
更多BC858AW _R1 _00001制造商:PanJit Touch Screens
BC858AW RF功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AW_ R2 _00001制造商:PanJit Touch Screens
BC858AW-7功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AW-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AW-G功能描述:两极晶体管 - BJT -30, -.1 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AWT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC858AWT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
