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深圳市智创诚芯电子科技有限公司

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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全新原装现货,假一罚十

深圳市得捷芯城科技有限公司

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天津市博通航睿技术有限公司

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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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BC847BV

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深圳市金泰福电子科技有限公司

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BC847BV

NexperiaSOT666

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深圳市航宇科工半导体有限公司

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CJ/长电SOT-583

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航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴!

中天科工半导体(深圳)有限公司

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BC847BVN

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热卖原装进口

深圳市明嘉莱科技有限公司

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BC847BVC-7其他IC

DIODES/美台SOT563

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市欧立现代科技有限公司

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NXPSOT666

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绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市高捷芯城科技有限公司

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DIODES(美台)SOT-563

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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市得捷芯城科技有限公司

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NXP(恩智浦)N/A

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CJ/长晶SOT-563

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深圳市创新迹电子有限公司

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DIODES(美台)SOT-563

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BC847BV,115价格

BC847BV,115价格:¥0.1481品牌:NXP

生产厂家品牌为NXP的BC847BV,115多少钱,想知道BC847BV,115价格是多少?参考价:¥0.1481。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BC847BV,115批发价格及采购报价,BC847BV,115销售排行榜及行情走势,BC847BV,115报价。

BC847BVN资讯

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BC847BV制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-666

BC847BV T/R功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC847BV,115功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC847BV,315功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC847BV115制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BJT ARRAY DUAL NPN 45V 100MA 6-SOT-6

BC847BV315制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:NXP 制造商:NXP Semiconductors

BC847BV-7功能描述:两极晶体管 - BJT 45V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC847BV-7-F功能描述:两极晶体管 - BJT 45V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC847BVC-7功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC847BVN制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN/PNP SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN/PNP, SOT-666