选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市蓝信伟业电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO92 |
1000 |
21+ |
原装正品实单价格可谈 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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CJTO92 |
5000 |
1832+ |
公司原装现货,可来看货! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ONTO-92-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市吉华创芯电子科技有限公司2年
留言
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ONTO-92 |
7500 |
22+ |
自家仓库现货.原装开专票 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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CJTO-92 |
2000 |
22+ |
原装正品 公司现货 价格优惠 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-92-3L |
7781 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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MOTOROLATO-92 |
6354 |
16+17+ |
代理渠道正品-现货库存21 |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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CJ/长电TO-92 |
229000 |
22+ |
只做原装进口现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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长电TO-92 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司6年
留言
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Fairchild原厂封装 |
10000 |
16+ |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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长电TO-92 |
24698 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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长电TO-92 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司7年
留言
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CJ/长电TO-92 |
15240 |
2022+ |
原装正品 |
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深圳市吉华创芯电子科技有限公司2年
留言
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NXP/恩智浦TO-92 |
18300 |
2021+ |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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长电TO-92 |
62000 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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CJ/长电TO-92 |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ONSMD |
20000 |
2018+ |
一级代理原装现货假一罚十 |
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上海德懿电子科技有限公司12年
留言
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CJTO-92 |
999999 |
23+ |
原装现货!品质为先!请来电垂询! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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KEC/PHTO-92 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市恒嘉威智能科技有限公司2年
留言
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长电TO-92 |
25000 |
21+ |
原装正品价格绝对优势 |
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BC556BG价格
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BC556资讯
BC556中文资料Alldatasheet PDF
更多BC556功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -65V -100mA HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC556_07制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC556_10制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
BC556_11制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Silicon Amplifier Transistor 625mW
BC556_J18Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP-65V-100mA HFE800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC556_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC556_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -65V -100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC556A功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK DLT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC556A,112功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK DLT PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC556A/E6功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
产品属性
- 产品编号:
BC556
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
650mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
110 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PNP 65V 0.1A TO92-3