选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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MOT/STCAN3 |
6000 |
专业铁帽 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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MOT/STCAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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MOT/STCAN3 |
67500 |
专业铁帽 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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HGFTO-92 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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HGFTO-92 |
9862 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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FSOP |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
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MOT/ST/PHCAN3 |
13523 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
留言
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NSC最新 |
8000 |
原装正品 现货供应 价格优 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-92 |
68900 |
HGF |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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HGFTO-92 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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HGFTO-92 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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原厂封装 |
4612 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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原厂NA |
5000 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-92 |
10000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
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Freescale原厂封装 |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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FSCTO-92 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36400 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
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FAIRCHILDTO-92 |
6000 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
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NSC原厂封装 |
8500 |
1922+ |
只做原装特价 |
BC214采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BC214图片
BC214中文资料Alldatasheet PDF
更多BC214功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 30V 500mA HFE/400 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC214_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC214_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 30V 500mA HFE/4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC214L功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -30V -500mA HFE/400 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC214LB功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -30V -500mA HFE/400 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC214LB_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GP XTOR TO92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC214LB_L34Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC214LB_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -30V -500mA HFE/4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC214LC功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 30V 500mA HFE/400 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BC214LC_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GP XTOR TO92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
BC214
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
600mV @ 5mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
15nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
140 @ 2mA,5V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
- 供应商器件封装:
TO-92-3
- 描述:
TRANS PNP 30V 0.5A TO92-3