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ATP206-TL-H	文件：450.3 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ATP206-TL-H	文件：343.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
206	文件：336 Kbytes Page：4 Pages	MultifunctionalThroughHoleThroughHole	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
206	文件：130.4 Kbytes Page：4 Pages	MultifunctionalthroughholeDIPswitches	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
206	文件：386.25 Kbytes Page：4 Pages	ThroughHoleDIPSwitch	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
206	文件：211.75 Kbytes Page：2 Pages	M12-AMale4PinFieldAttachable	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
206	文件：277.29 Kbytes Page：5 Pages	DirectreplacementforT1쩐MidgetFlangeSX6s	MARL Marl International Ltd	MARL
206JE	文件：124.92 Kbytes Page：1 Pages	CarbonCompositionMoldedOD/OFSeries(5Tol.)OASeries(10)	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
206RA	文件：1.44653 Mbytes Page：2 Pages	RightAnglePanelDIPSwitches	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
206XK	文件：4.89948 Mbytes Page：122 Pages	E-Z-Hookisdedicatedtoprovidingqualityparts,deliveredon-timeatreasonableprices	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
206XM	文件：4.89948 Mbytes Page：122 Pages	E-Z-Hookisdedicatedtoprovidingqualityparts,deliveredon-timeatreasonableprices	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
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A206	文件：310.64 Kbytes Page：5 Pages	1-4PoleRotarySwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
A206	文件：299.98 Kbytes Page：5 Pages	1-4PoleRotarySwitches	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
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A206EHI	文件：223.66 Kbytes Page：2 Pages	A200EHISERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
A206EHI	文件：190.7 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,MiniatureDIP2W,VeryHighIsolationDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
A206RHI	文件：184.31 Kbytes Page：2 Pages	VeryHighIsolation,2WSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD

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详细参数

型号：
ATP206-TL-H
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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