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AT28C040-20TI	文件：475.92 Kbytes Page：16 Pages	4-Megabit (512K x 8) Paged Parallel EEPROMs	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C040-20	文件：332.04 Kbytes Page：12 Pages	4-Megabit512Kx8PagedE2PROM Description TheAT28C040isahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory(E2PROM).Its4megabitsofmemoryisorganizedas524,288wordsby8bits.ManufacturedwithAtmelsadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowerdis	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C040-20BC	文件：332.04 Kbytes Page：12 Pages	4-Megabit512Kx8PagedE2PROM Description TheAT28C040isahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory(E2PROM).Its4megabitsofmemoryisorganizedas524,288wordsby8bits.ManufacturedwithAtmelsadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowerdis	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C040-20BI	文件：332.04 Kbytes Page：12 Pages	4-Megabit512Kx8PagedE2PROM Description TheAT28C040isahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory(E2PROM).Its4megabitsofmemoryisorganizedas524,288wordsby8bits.ManufacturedwithAtmelsadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowerdis	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C040-20FC	文件：332.04 Kbytes Page：12 Pages	4-Megabit512Kx8PagedE2PROM Description TheAT28C040isahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory(E2PROM).Its4megabitsofmemoryisorganizedas524,288wordsby8bits.ManufacturedwithAtmelsadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowerdis	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C040-20FI	文件：332.04 Kbytes Page：12 Pages	4-Megabit512Kx8PagedE2PROM Description TheAT28C040isahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory(E2PROM).Its4megabitsofmemoryisorganizedas524,288wordsby8bits.ManufacturedwithAtmelsadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowerdis	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
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AT28C040-20LC	文件：332.04 Kbytes Page：12 Pages	4-Megabit512Kx8PagedE2PROM Description TheAT28C040isahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory(E2PROM).Its4megabitsofmemoryisorganizedas524,288wordsby8bits.ManufacturedwithAtmelsadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowerdis	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C040-20LI	文件：385.3 Kbytes Page：15 Pages	4-Megabit(512Kx8)PagedParallelEEPROMs	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C040-20LI	文件：332.04 Kbytes Page：12 Pages	4-Megabit512Kx8PagedE2PROM Description TheAT28C040isahigh-performanceelectricallyerasableandprogrammablereadonlymemory(E2PROM).Its4megabitsofmemoryisorganizedas524,288wordsby8bits.ManufacturedwithAtmelsadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowerdis	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
AT28C040-20LI	文件：475.92 Kbytes Page：16 Pages	4-Megabit(512Kx8)PagedParallelEEPROMs	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
XM28C040-20	文件：76.57 Kbytes Page：17 Pages	5Volt,ByteAlterableE2PROM DESCRIPTION TheXM28C040isahighdensity4MegabitE2PROMcomprisedoffourX28C010smountedonaco-firedmultilayeredceramicsubstrate.Individualcomponentsare100testedpriortoassemblyinmoduleformandthen100testedafterassembly. TYPICALFEATURES •HighDensity4Megabit(512K	Xicor Xicor Inc.	Xicor

详细参数

型号：
AT28C040-20TI
功能描述：
电可擦除可编程只读存储器 4M SDP - 200NS IND TEMP
RoHS：
否
制造商：
Atmel
存储容量：
2 Kbit
组织：
256 B x 8
数据保留：
100 yr
最大时钟频率：
1000 KHz
最大工作电流：
6 uA
工作电源电压：
1.7 V to 5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8

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