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DXT751	文件：170.82 Kbytes Page：4 Pages	LOWVCE(SAT)PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DXT651) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DXT751Q	文件：470.68 Kbytes Page：6 Pages	60VPNPLOWSATURATIONPOWERTRANSISTOR Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofautomotiveapplications. Features •BVCEO>-60V •IC=-3AHighContinuousCollectorCurrent •ICMupto-6APeakPulseCurrent •2WPowerDissipation •ComplementaryPNPType:DXT651Q •T	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DZT751	文件：179.42 Kbytes Page：4 Pages	LOWVCEPNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DZT651) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •“Green”Device(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
ESD751	文件：957.47 Kbytes Page：19 Pages	ESD751andESD76124-V1-ChannelESDProtectionDiodes 1Features •IEC61000-4-2level4ESDprotection: –±22-kVor±15-kVcontactdischarge –±22-kVor±15-kVair-gapdischarge •Robustsurgeprotection: –IEC61000-4-5(8/20μs):2.8Aor1.8A •24-Vworkingvoltage •BidirectionalESDprotection •Lowclampingvoltageprotectsdownstream	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ESD751	文件：1.18669 Mbytes Page：25 Pages	ESD1LIN24-Q1,ESD751-Q1,andESD761-Q1Automotive24-V,1-ChannelESDProtectionDiodesforIn-VehicleNetworks 1Features •IEC61000-4-2level4ESDprotection: –±30-kV,±22-kVor±15-kVcontactdischarge –±30-kV,±22-kVor±15-kVair-gapdischarge •ISO10605(330pF,330Ω)ESDprotection: –±30-kV,±22-kVor±15-kVcontactdischarge –±30-kV,±22-kVor±15-kVair-gapdischarge •24-Vworkingv	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ESD751	文件：1.32667 Mbytes Page：27 Pages	ESD1LIN24-Q1,ESD751-Q1,andESD761-Q1Automotive24-V,1-ChannelESDProtectionDiodesforIn-VehicleNetworks 1Features •IEC61000-4-2level4ESDprotection: –±30-kV,±22-kVor±15-kVcontactdischarge –±30-kV,±22-kVor±15-kVair-gapdischarge •ISO10605(330pF,330Ω)ESDprotection: –±30-kV,±22-kVor±15-kVcontactdischarge –±30-kV,±22-kVor±15-kVair-gapdischarge •24-Vworkingv	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ESD751	文件：1.19307 Mbytes Page：24 Pages	ESD751andESD76124-V1-ChannelESDProtectionDiodes 1Features •IEC61000-4-2level4ESDprotection: –±22-kVor±15-kVcontactdischarge –±22-kVor±15-kVair-gapdischarge •Robustsurgeprotection: –IEC61000-4-5(8/20μs):2.8Aor1.8A •24-Vworkingvoltage •BidirectionalESDprotection •Lowclampingvoltageprotectsdownstream	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ESD751DYAR	文件：1.19307 Mbytes Page：24 Pages	ESD751andESD76124-V1-ChannelESDProtectionDiodes 1Features •IEC61000-4-2level4ESDprotection: –±22-kVor±15-kVcontactdischarge –±22-kVor±15-kVair-gapdischarge •Robustsurgeprotection: –IEC61000-4-5(8/20μs):2.8Aor1.8A •24-Vworkingvoltage •BidirectionalESDprotection •Lowclampingvoltageprotectsdownstream	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
ESD751DYAR	文件：957.47 Kbytes Page：19 Pages	ESD751andESD76124-V1-ChannelESDProtectionDiodes 1Features •IEC61000-4-2level4ESDprotection: –±22-kVor±15-kVcontactdischarge –±22-kVor±15-kVair-gapdischarge •Robustsurgeprotection: –IEC61000-4-5(8/20μs):2.8Aor1.8A •24-Vworkingvoltage •BidirectionalESDprotection •Lowclampingvoltageprotectsdownstream	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
FDR751E	文件：40.88 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FDR751U	文件：90.59 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FM751V-FL	文件：107.94 Kbytes Page：7 Pages	30mASurfaceMountSmallSignalSchottkyDiode-40V	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM751V-NL	文件：469.22 Kbytes Page：7 Pages	30mASurfaceMountSmallSignalSchottkyDiode-40V	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FN-751X	文件：355.33 Kbytes Page：4 Pages	ACFeedthroughCapacitor	SCHAFFNERSchaffner International Ltd 夏弗纳上海夏弗纳国际贸易有限公司	SCHAFFNER
FOX751	文件：487.19 Kbytes Page：1 Pages	SMDHCMOSTCXO	FOX Fox Electronics	FOX
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FTO751S	文件：1.00993 Mbytes Page：1 Pages	CLOCKOSCILLATOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
ASD751V-N
制造商：
FORMOSA
制造商全称：
Formosa MS
功能描述：
Advanced Schottky Barrier Diodes - Surface mount small signal type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	ASD751V-N	FORMOSA	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	ASD751V低压MOS管	FORMOSA	23+	SMD0805	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	ASD7805U	ADI/亚德诺	21+	原封装	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	ASD7805U	ADI/亚德诺	2339+	NA	32280	原装现货假一罚十！十年信誉只做原装！	询价
博速半导体（深圳）有限公司	ASD7805U	ADI/亚德诺	22+		66900	原封装	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	ASD78L06	N/A	23+	NA	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	ASD78L12	N/A	2021+		5000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	ASD8016ARP	N/M	22+23+	NM	47530	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
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