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AS6C1016-55ZIN

64K X 16 BIT LOW POWER CMOS SRAM

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AS6C1016-55ZIN

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

Alliance Memory

Alliance Memory, Inc.

AS6C1016-55ZINTR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

Alliance Memory

Alliance Memory, Inc.

AS6C1016-55BIN

64KX16BITLOWPOWERCMOSSRAM

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产品属性

  • 产品编号:

    AS6C1016-55ZIN

  • 制造商:

    Alliance Memory, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    55ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

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更多AS6C1016-55ZIN供应商 更新时间2024-5-25 11:56:00