选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
|
40 |
23+ |
原装现货 |
||||
|
深圳市亿顺芯科技有限公司6年
留言
|
Alliance Memory硅原现货 |
505000 |
2021+ |
专供存储器芯片,医疗信誉单位! |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
Alliance Memory, Inc.66-TSOP II |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
|
Alliance Memory, Inc.66-TSOP II |
56200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
Alliance Memory, Inc.66-TSOP II |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
Alliance Memory, Inc.66-TSSOP (szeroko?? 0,400,10 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
深圳市科雨电子有限公司4年
留言
|
ALLIANCETSOP-66 |
1001 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
Alliance Memory, Inc.66-TSOP II |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
|
Alliance Memory, Inc.66-TSOP II |
56200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
Alliance Memory, Inc.66-TSOP II |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
Alliance Memory, Inc.66-TSSOP (szeroko?? 0,400,10 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
深圳市科雨电子有限公司4年
留言
|
ALLIANCETSOP-66 |
1001 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
AS4C8M16D1-5TIN采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
AS4C8M16D1-5TIN图片
AS4C8M16D1-5TIN价格
AS4C8M16D1-5TIN价格:¥12.5185品牌:Alliance Memory
生产厂家品牌为Alliance Memory的AS4C8M16D1-5TIN多少钱,想知道AS4C8M16D1-5TIN价格是多少?参考价:¥12.5185。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,AS4C8M16D1-5TIN批发价格及采购报价,AS4C8M16D1-5TIN销售排行榜及行情走势,AS4C8M16D1-5TIN报价。
AS4C8M16D1-5TINTR中文资料Alldatasheet PDF
更多AS4C8M16D1-5TIN功能描述:动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
AS4C8M16D1-5TINTR功能描述:动态随机存取存储器 128Mb, 3.3V, 200Mhz 8M x 16 DDR RoHS:否 制造商:ISSI 数据总线宽度:16 bit 组织:1 M x 16 封装 / 箱体:SOJ-42 存储容量:16 MB 最大时钟频率: 访问时间:50 ns 电源电压-最大:7 V 电源电压-最小:- 1 V 最大工作电流:90 mA 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
AS4C8M16D1-5TIN
- 制造商:
Alliance Memory, Inc.
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
DRAM
- 技术:
SDRAM - DDR
- 存储容量:
128Mb(8M x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
15ns
- 电压 - 供电:
2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm)
- 供应商器件封装:
66-TSOP II
- 描述:
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II