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ARF466FL	文件：190.7 Kbytes Page：4 Pages	RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE 200V 300W 45MHz TheARF466FLisaruggedhighvoltageRFpowertransistordesignedforscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto45MHz.Ithasbeenoptimizedforbothlinearandhighefficiencyclassesofoperation. •Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics:	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF466FL	文件：148.19 Kbytes Page：4 Pages	RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TheARF466FLisaruggedhighvoltageRFpowertransistordesignedforscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto45MHz.Ithasbeenoptimizedforbothlinearandhighefficiencyclassesofoperation. •Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics:	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
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ARF466FL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF PWR MOSFET 1000V 13A	MicrochipMicrochip Technology Inc. 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
ARF466FL_10	文件：138.8 Kbytes Page：4 Pages	RF POWER MOSFETs N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
466	文件：101.21 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountFuses-Lead-FreeThin-Film	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
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ADG466	文件：231.54 Kbytes Page：10 Pages	TripleandOctalChannelProtectors GENERALDESCRIPTION TheADG466andADG467aretripleandoctalchannelprotectors,respectively.Thechannelprotectorisplacedinserieswiththesignalpath.Thechannelprotectorwillprotectsensitivecomponentsfromvoltagetransienceinthesignalpathwhetherthepowersuppliesarepresen	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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ADG466BR	文件：231.54 Kbytes Page：10 Pages	TripleandOctalChannelProtectors GENERALDESCRIPTION TheADG466andADG467aretripleandoctalchannelprotectors,respectively.Thechannelprotectorisplacedinserieswiththesignalpath.Thechannelprotectorwillprotectsensitivecomponentsfromvoltagetransienceinthesignalpathwhetherthepowersuppliesarepresen	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG466BRM	文件：231.54 Kbytes Page：10 Pages	TripleandOctalChannelProtectors GENERALDESCRIPTION TheADG466andADG467aretripleandoctalchannelprotectors,respectively.Thechannelprotectorisplacedinserieswiththesignalpath.Thechannelprotectorwillprotectsensitivecomponentsfromvoltagetransienceinthesignalpathwhetherthepowersuppliesarepresen	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ALS466A	文件：196.58 Kbytes Page：5 Pages	OCTALBUFFERSWITH3-STATEOUTPUT	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
AOB466L	文件：252.96 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB466L	文件：297.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD466	文件：1.01519 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD466	文件：128.21 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD466usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD466isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD466	文件：317.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD466	文件：158.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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产品属性

产品编号：
ARF466FL
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
N 通道
频率：
40.68MHz
增益：
16dB
额定电流（安培）：
13A
功率 - 输出：
150W
供应商器件封装：
T3
描述：
RF PWR MOSFET 1000V 13A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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