选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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Microsemi Corporation标准封装 |
2000 |
23+ |
全新原装正品现货直销 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Microsemi CorporationSP1 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Microsemi CorporationSP1 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Microsemi CorporationSP1 |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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APTGT75DH60T1G中文资料Alldatasheet PDF
更多APTGT75DH60T1G制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:Asymmetrical - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
产品属性
- 产品编号:
APTGT75DH60T1G
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
散装
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 配置:
非对称桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.9V @ 15V,75A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
是
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
SP1
- 供应商器件封装:
SP1
- 描述:
IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1