APT68GA60B2D40 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 MICROSEMI/美高森美

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1+	面议

厂家型号：
APT68GA60B2D40
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
MICROSEMI/美高森美
库存数量：
9000
产品封装：
生产批号：
22+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-27 14:01:00

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原厂料号：APT68GA60B2D40品牌：Microsemi Corporation

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APT68GA60B2D40是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Microsemi Corporation/Microchip Technology生产封装TO-247-3 变式的APT68GA60B2D40晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
APT68GA60B2D40
规格书：
下载下载2
企业简称：
MICROSEMI【美高森美】详情
厂商全称：
Microsemi Corporation
中文名称：
美高森美公司
内容页数：
44 页
文件大小：
2833.33 kb
资料说明：
Power Semiconductors Power Modules RF Power MOSFETs

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
APT68GA60B2D40
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
POWER MOS 8™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，40A
开关能量：
715µJ（开），607µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/133ns
测试条件：
400V，40A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
描述：
IGBT 600V 121A 520W TO-247

供应商

企业：
深圳市河锋鑫科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
杨小姐
手机：
13430590551
询价：
电话：
0755-23933424
地址：
深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D

APT68GA60B2D40 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 MICROSEMI/美高森美

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