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APT601R2DN中文资料PDF规格书

APT601R2DN
厂商型号

APT601R2DN

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

345.58 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-3 19:03:00

APT601R2DN规格书详情

DESCRIPTION

·Drain Current :ID= 8A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 600V(Min)

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·high voltage, high speed power switching

产品属性

  • 型号:

    APT601R2DN

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 8A I(D) | CHIP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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