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QM6015D	文件：971.47 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM6015D	文件：247.43 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
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R6015ANJ	文件：328.88 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. Applications Switching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ANX	文件：235.33 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ANX	文件：1.35681 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ANZ	文件：1.15857 Mbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)HighESD. Application Switching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ENJ	文件：299.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENJ	文件：2.47311 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ENX	文件：2.46809 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ENX	文件：296.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENZ	文件：309.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6015ENZ	文件：923.2 Kbytes Page：13 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015FNJ	文件：3.30968 Mbytes Page：15 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015FNX	文件：1.1545 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET FEATURES •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies •Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
R6015FNX	文件：1.27253 Mbytes Page：7 Pages	10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015KNJ	文件：299.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
APT6015JN
制造商：
APT
功能描述：
MOSFET Power Module Transistor, Independent
制造商：
Microsemi Corporation
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 600V 38A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多APT6015JN供应商更新时间2024-6-4 16:25:00

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