选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)TO-264 |
7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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APTTO-264 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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ATPTO-264 |
200 |
06+ |
原装库存 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
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APT原厂原封 |
8200 |
22+ |
原装现货库存.价格优势!! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ADPOW原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
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ATP |
12 |
22+ |
原装现货,可开13%税票 |
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华富测量(深圳)传感技术有限公司7年
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原厂模块 |
600 |
2023+ |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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APTNA |
1120 |
22+ |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-264 |
68900 |
APT |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
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APTTO-3PL |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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APTTO-264 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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ATPSOP |
3200 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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MICROCHIP(美国微芯)TO264 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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APTNA/ |
13818 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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APTMOUDLE |
81 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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APT模块 |
320 |
23+ |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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APT |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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APT模块 |
3562 |
23+ |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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APTTO264 |
7534 |
23+ |
原装正品,假一罚十! |
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标准国际(香港)有限公司16年
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APT |
9 |
94 |
公司优势库存 热卖中!! |
APT6015采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
APT6015图片
APT6015JN中文资料Alldatasheet PDF
更多APT6015B2VFR制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS V FREDFET
APT6015B2VFRG功能描述:MOSFET N-CH 600V 38A T-MAX RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
APT6015B2VR制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6015B2VRG制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET - MOS5 - Rail/Tube
APT6015JFVR制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT6015JN制造商:APT 功能描述:MOSFET Power Module Transistor, Independent 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 38A
APT6015JVFR功能描述:MOSFET N-CH 600V 35A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS V® 标准包装:10 系列:*
APT6015JVR功能描述:MOSFET N-CH 600V 35A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> FET 系列:POWER MOS V® 标准包装:10 系列:*
APT6015LVFR制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-264
APT6015LVFRG功能描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO-264 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件