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APT20M45BVRG	文件：354.91 Kbytes Page：4 Pages	POWER MOS V짰 POWERMOSV® POWERMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasepackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. F	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT20M45BVRG	文件：337.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=56A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.045Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT20M45BVFR	文件：94.84 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-Channelenhancement PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FastRecoveryBody	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT20M45BVFR	文件：419.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT20M45BVR	文件：419.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
APT20M45BVR	文件：92.3 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •FasterSwitchi	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT20M45BVR	文件：354.91 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSV짰 POWERMOSV® POWERMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasepackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. F	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
APT20M45SVFR	文件：97.7 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV®FREDFET PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout.	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT20M45SVR	文件：95.12 Kbytes Page：4 Pages	PowerMOSVisanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs. POWERMOSV® PowerMOSV®isanewgenerationofhighvoltageN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETs.ThisnewtechnologyminimizestheJFETeffect,increasespackingdensityandreducestheon-resistance.PowerMOSV®alsoachievesfasterswitchingspeedsthroughoptimizedgatelayout. •Fast	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
CL20M45	文件：97.76 Kbytes Page：2 Pages	CurrentLimitingDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
CL20M45	文件：143.4 Kbytes Page：2 Pages	SMDCurrentLimitingDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
CL20M45	文件：99.88 Kbytes Page：2 Pages	CurrentLimitingDiodes	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
S20M45C	文件：163.66 Kbytes Page：2 Pages	SwitchmodeSchottkyBarrierPowerRectifiers	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
S20M45F	文件：167.06 Kbytes Page：2 Pages	SwitchmodeSchottkyBarrierPowerRectifiers	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC

详细参数

型号：
APT20M45BVRG
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
POWER MOS V®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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