| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
|
 |
iscTO-247 |
5000 |
2024+ |
|||
|
无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
|
 |
iscTO-247 |
5000 |
2024+ |
|||
|
深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
|
ixysTO-247 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
APTTO-247 |
2100 |
16+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
|||
|
深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
|
APTTO-247 |
1705 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
|||
|
深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
|
APTTO-247 |
1705 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
|
ADPOW原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
|||
|
深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
|
APTTO-247 |
8000 |
22+ |
|
原装正品支持实单 |
||
|
深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
|
APT模块 |
300 |
2015 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
APTTO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
|
APT原厂原封 |
8200 |
22+ |
原装现货库存.价格优势!! |
|||
|
深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
|
APTTO-247 |
564 |
23+ |
||||
|
深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
|
APTTO-247 |
564 |
23+ |
||||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
APTTO-247 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
APTTO-247 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
|
APTTO-247B |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
|||
|
无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
|
iscTO-247 |
10000 |
2024 |
|
国产品牌isc,可替代原装 |
||
|
深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
|
TO-3P |
2800 |
23+ |
正品原装货价格低qq:2987726803 |
|||
|
深圳市大联智电子有限公司2年
留言
|
APTTO-247 |
7300 |
2022+ |
原装现货 |
|||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
 |
Microchip TechnologyTO-247 [B] |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
APT20M38BVR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
APT20M38BVR图片
APT20M38BVRG价格
APT20M38BVRG价格：￥57.6122品牌：MICROSEMI
生产厂家品牌为MICROSEMI的APT20M38BVRG多少钱，想知道APT20M38BVRG价格是多少？参考价：￥57.6122。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，APT20M38BVRG批发价格及采购报价，APT20M38BVRG销售排行榜及行情走势，APT20M38BVRG报价。
APT20M38BVRG中文资料Alldatasheet PDF
更多APT20M38BVR制造商:ADPOW 制造商全称:Advanced Power Technology 功能描述:Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT20M38BVRG功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A TO-247 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:POWER MOS V® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
