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APT100GT120JRDL

Resonant Mode IGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT100GT120JR

ThunderboltIGBT

MicrosemiMicrosemi Corporation

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APT100GT120JR

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详细参数

  • 型号:

    APT100GT120JRDL

  • 功能描述:

    IGBT 1200V 123A 570W SOT227

  • RoHS:

  • 类别:

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    10

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 类型:

    PT

  • 配置:

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开):

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies):

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    1000W

  • 输入:

    标准 NTC

  • 热敏电阻:

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装:

    SOT-227B

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更多APT100GT120JRDL供应商 更新时间2024-5-16 9:18:00