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9435	文件：299.94 Kbytes Page：2 Pages	20VP-ChannelIncreasedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
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9435	文件：1.21295 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET DESCRIPTION The9435usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES ●VDS=-30V,ID=-5.1A RDS(ON)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
9435	文件：3.10684 Mbytes Page：5 Pages	SOP-8Plastic-EncapsulateMOSFETS Description The9435usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS,lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V. GeneralFeatures VDS=-30V RDS	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
9435	文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages	MACHINESCREWPANPHILLIPS10-32	KEYSTONEKeystone Electronics Corp. Keystone公司Keystone Electronics有限公司	KEYSTONE
9435A	文件：118.48 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	booklyShanghai Baili Microelectronics Co., Ltd 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
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ACE9435B	文件：521.64 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerFETsareproducedwithhighcelldensity,DMOStrenchtechnology,whichisespeciallyusedtominimizeon-stateresistance.Thisdeviceisparticularlysuitedforlowvoltageapplicationsuchasportableequipment,powermanagementandotherbat	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE9435BFM+H	文件：1.30077 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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更多APM9435KC-TRGMOS(场效应管)供应商更新时间2024-4-21 14:11:00

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