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TLV2763IDGS	文件：470.85 Kbytes Page：27 Pages	FAMILYOF1.8VMICROPOWERRAIL-TO-RAILINPUT/OUTPUTOPERATIONALAMPLIFIERSWITHSHUTDOWN	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2763IDGSR	文件：470.85 Kbytes Page：27 Pages	FAMILYOF1.8VMICROPOWERRAIL-TO-RAILINPUT/OUTPUTOPERATIONALAMPLIFIERSWITHSHUTDOWN	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2763IDGSR	文件：1.8287 Mbytes Page：46 Pages	FAMILYOF1.8VMICROPOWERRAIL-TO-RAILOUTPUT	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TLV2763IDR	文件：470.85 Kbytes Page：27 Pages	FAMILYOF1.8VMICROPOWERRAIL-TO-RAILINPUT/OUTPUTOPERATIONALAMPLIFIERSWITHSHUTDOWN	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLV2763IN	文件：470.85 Kbytes Page：27 Pages	FAMILYOF1.8VMICROPOWERRAIL-TO-RAILINPUT/OUTPUTOPERATIONALAMPLIFIERSWITHSHUTDOWN	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA2763	文件：245.25 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheμPA2763isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconverterandpowermanagementapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)1=23.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=21A) ⎯RDS(on)2=28.0mΩMAX.(VGS=8V,ID=21A) •LowCiss2100pFTYP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2763T	文件：144.32 Kbytes Page：6 Pages	3V,WIDEBANDMEDIUMPOWERSIMMICAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2762TandUPC2763TareSiliconMonolithicintegratedcircuitswhicharemanufacturedusingtheNESATIIIprocess.TheNESATIIIprocessproducestransistorswithfTapproaching20GHz.Theseamplifiersweredesignedfor900MHzand1.9GHzreceiversincellular,cordlessteleph	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPC2763T	文件：404.53 Kbytes Page：16 Pages	3V,2.9GHzSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8182TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICoperatesat3V.ThemediumoutputpowerissuitableforRF-TXofmobilecommunicationssystem. FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=3	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPC2763T	文件：327.58 Kbytes Page：19 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=30mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+9.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=21.5dBTYP.@f=0.9GHz GP=20.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2763T	文件：332.18 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=23.0mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=19.0dBTYP.@f=0.9GHz GP=2	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2763T	文件：395.2 Kbytes Page：30 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Mediumoutputpower:μPC2762TB;PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2771TB;PO(1dB)=+11.5dBmTYP.@f=0.9GHz •Powergain:μPC2762TB;GP=13dBTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;GP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2763TB	文件：395.2 Kbytes Page：30 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Mediumoutputpower:μPC2762TB;PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2771TB;PO(1dB)=+11.5dBmTYP.@f=0.9GHz •Powergain:μPC2762TB;GP=13dBTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;GP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2763TB	文件：332.18 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=23.0mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=19.0dBTYP.@f=0.9GHz GP=2	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2763TB	文件：327.58 Kbytes Page：19 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=30mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+9.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=21.5dBTYP.@f=0.9GHz GP=20.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2763TB	文件：171.89 Kbytes Page：28 Pages	3V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC2762TB,µPC2763TBandµPC2771TBaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasamplifierformobilecommunications.TheseICsoperateat3V.ThemediumoutputpowerissuitableforRF-TXofmobilecommunicationssystem. TheseICismanufacturedusingNEC’s20GHzfTN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPC2763TB	文件：404.53 Kbytes Page：16 Pages	3V,2.9GHzSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8182TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICoperatesat3V.ThemediumoutputpowerissuitableforRF-TXofmobilecommunicationssystem. FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=3	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPC2763TB	文件：183.71 Kbytes Page：7 Pages	3V,SUPERMINIMOLDMEDIUMPOWERSIMMICAMPLIFIER	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPC2763TB	文件：240.2 Kbytes Page：28 Pages	3V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC

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