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AP2309GN	文件：69.76 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2309GN	文件：1.04714 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP2309GN-HF	文件：113.75 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement, Small Package Outline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2309GN-HF_14	文件：113.75 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2309GN-HF_16	文件：103.43 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
2309	文件：96.1 Kbytes Page：1 Pages	Pneumaticmuffler	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司	FESTO
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2309-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
AIC2309	文件：223.42 Kbytes Page：10 Pages	1ADualSynchronousStep-downDC/DCConverter	AIC AIC	AIC
AM2309	文件：446.69 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET20VP-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2309isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=-20V RDS(ON),VGS@-4.5V,IDS@-2.8A=100mΩ RDS(ON),VGS@-2.5V,IDS@-2.0A=150mΩ Advancedtrenchprocesstechnology HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance FullyCharacterizedAvalancheVoltageand	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2309P	文件：66.77 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2309AGN	文件：1.04724 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP2309AGN-HF	文件：99.74 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2309GEN-HF	文件：103.43 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallPackageOutline	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP2309N	文件：69.45 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-23packageisuniversallypreferredforallcommerciali-ndustrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicati	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2309AC-TRL	文件：1.05142 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AT-2309	文件：221.61 Kbytes Page：3 Pages	StriplineMountingFixedAttenuators	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE

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详细参数

型号：
AP2309GN
制造商：
A-POWER
制造商全称：
Advanced Power Electronics Corp.
功能描述：
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市惊羽科技有限公司	AP2309GN	APEC	2425+	SOT-23.贴片	96500	包邮,有问必回,专注现货,Q.微.恭候,备货HK仓	询价
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更多AP2309GN供应商更新时间2024-5-22 16:16:00

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