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AP2302MTR	文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages	3A DDR TERMINATION REGULATOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2302MTR-E1	文件：154.38 Kbytes Page：13 Pages	3A DDR TERMINATION REGULATOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
2302	文件：76.13 Kbytes Page：2 Pages	2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2302isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding2WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealedpa	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2302	文件：78.97 Kbytes Page：2 Pages	2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz	GHZTECHGHz Technology GHz Technology	GHZTECH
2302	文件：110.94 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELMOSFETN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
2302	文件：310.86 Kbytes Page：2 Pages	20VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
2302	文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	NylonHoseClamps	HeycoHeyco. 海科海科(Heyco)	Heyco
2302B	文件：256.75 Kbytes Page：3 Pages	30VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
ACE2302	文件：205.72 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2302	文件：428.93 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2302B	文件：649.33 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2302BBM+H	文件：2.18303 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ACE2302BBM-H	文件：2.18303 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ACE2302BM+H	文件：428.93 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE2302BM+H	文件：205.72 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE

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详细参数

型号：
AP2302MTR
制造商：
BCDSEMI
制造商全称：
BCD Semiconductor Manufacturing Limited
功能描述：
3A DDR TERMINATION REGULATOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AP2302MTR供应商更新时间2024-6-12 10:21:00

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