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AP1013K3J

Mou lded case for protection

OHMITEOHMITE MANUFACTURING COMPANY

欧敏欧敏电阻制造公司

BTA1013K3

PNPEpitaxialPlanarTransistor

Features •LowVCE(SAT),VCE(SAT)=-387mV(Typ.)@IC/IB=-1A/-100mA •Highbreakdownvoltage,BVCEO=-160V •ComplementarytoBTC2383K3 •Pb-freeleadplatingandhalogen-freepackage

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

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更多AP1013K3J供应商 更新时间2024-6-18 10:18:00