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AOT5N60	文件：164.77 Kbytes Page：5 Pages	600V, 5A N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT5N60	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	600V,5A N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT5N60	文件：356.5 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT5N60_10	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	600V,5A N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
5N60	文件：151.71 Kbytes Page：6 Pages	4.5Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC5N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplication	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60	文件：242.68 Kbytes Page：6 Pages	4.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60	文件：254.02 Kbytes Page：6 Pages	5A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60	文件：1.06579 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
5N60	文件：157.21 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheEnergySpecified	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
5N60	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
5N60	文件：396.63 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司	NELLSEMI
5N60	文件：500.1 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFET	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
5N60A	文件：1.0671 Mbytes Page：7 Pages	5A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
5N60C	文件：621.43 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
5N60D	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
5N60F	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
5N60G	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
5N60K	文件：2.03879 Mbytes Page：8 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
5N60KG-TMS-T	文件：273.18 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
5N60KG-TND-R	文件：273.18 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
AOT5N60
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOT5N60供应商更新时间2024-5-28 15:30:00

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