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AOT262L中文资料PDF规格书

AOT262L
厂商型号

AOT262L

功能描述

60V N-Channel MOSFET

文件大小

251.7 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-28 22:30:00

AOT262L规格书详情

General Description

The AOT262L/AOB262L combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON).This device is ideal for boost converters and synchronous rectifiers for consumer, telecom, industrial power supplies and LED backlighting.

Product Summary

VDS 60V

ID (at VGS=10V) 140A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 3.0mΩ (< 2.8mΩ∗)

RDS(ON) (at VGS = 6V)

100 UIS Tested

100 Rg Tested

产品属性

  • 型号:

    AOT262L

  • 功能描述:

    MOSFET N CH 60V 140A TO220

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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