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AOP610中文资料PDF规格书

AOP610
厂商型号

AOP610

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

145.24 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-25 15:15:00

AOP610规格书详情

General Description

The AOP610 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. A Schottky diode in parallel with the n-channel FET reduces body diode related losses. It is

ESD protected. Standard product AOP610 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AOP610L is a Green Product ordering option. AOP610 and AOP610L are electrically identical.

Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 30V -30V

ID = 7.7A (VGS=10V) -6.2A (VGS=10V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 24mΩ (VGS=10V) < 37mΩ (VGS = -10V)

< 42mΩ (VGS=4.5V) < 60mΩ (VGS = -4.5V)

ESD rating: 1500V (HBM)

产品属性

  • 型号:

    AOP610

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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