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AOD425中文资料PDF规格书

AOD425
厂商型号

AOD425

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

203.85 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-25 8:08:00

AOD425规格书详情

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

The AOD425 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected.

-RoHS Compliant

-Halogen Free*

Features

VDS(V) = -30V

ID= -20A (VGS= -10V)

RDS(ON)< 17mΩ(VGS= -10V)

RDS(ON)< 35mΩ(VGS= -5V)

ESD Protected!

100 Rg Tested!

产品属性

  • 型号:

    AOD425

  • 功能描述:

    MOSFET P CH 30V 50A TO252

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AOS/万代
22+
TO-252
32500
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