| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市泓利达微科技有限公司4年
留言
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AOS美国万代TO-252 |
888000 |
24+ |
AOS代理商 优势供应美国万代AOS全系列 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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AOS万代TO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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AOS/万代TO252 |
3333 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市泓利达微科技有限公司4年
留言
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AOS/万代TO-252 |
333888 |
24+ |
原装进口 AOS原厂代理商 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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AOTO252 |
7906200 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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AOSTO-252 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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AOS/万代TO252 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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AOSNA |
36422 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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64-Pin VQF |
50 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscDPAK/TO-252 |
5000 |
2024+ |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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AOS/万代NA |
60000 |
22+ |
我司100%原装正品现货,现货众多欢迎加微信 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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AOS万代TO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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AOSTO-252 |
17048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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AOSTO252 |
3000 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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AOSTO-252 |
60000 |
23+ |
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只做原装 ！全系列供应可长期供货稳定价格优势！ |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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AOS/万代TO-252 |
21000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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AOSTO-252 |
10000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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AOS/万代SOT-252 |
3470 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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AOSTO-252 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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AOS/万代TO-252 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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AOD4189价格
AOD4189价格：￥0.9589品牌：Alpha
生产厂家品牌为Alpha的AOD4189多少钱，想知道AOD4189价格是多少？参考价：￥0.9589。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，AOD4189批发价格及采购报价，AOD4189销售排行榜及行情走势，AOD4189报价。
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AOD4184L原装现货
原装现货，特价销售！
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原装正品假一赔十
AOD4184 新到原装正品现货 价格实惠
深圳金芯睿科技成立于2000年，总公司位于香港，致力于美国（MAXIM）公司及子公司（DALLAS）品牌下全系列产品的推广，同时采取高品质、低价位、利客户的分销模式，特约分销TI、BB、ADI、PHI、INETL、NSC等国外品牌IC，公司立志打造成为集销售.技术支持全面、产品质量优良、供货急时准确等多方面优势为一体的高标准化、高科技
AOD4182 新到原装现货
深圳金芯睿科技成立于2000年，总公司位于香港，致力于美国（MAXIM）公司及子公司（DALLAS）品牌下全系列产品的推广，同时采取高品质、低价位、利客户的分销模式，特约分销TI、BB、ADI、PHI、INETL、NSC等国外品牌IC，公司立志打造成为集销售.技术支持全面、产品质量优良、供货急时准确等多方面优势为一体的高标准化、高科技
AOD4184 美国万代 香港金宁电子有限公司
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AOD4184A中文资料Alldatasheet PDF
更多AOD418功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOD4180功能描述:MOSFET N-CH 80V 54A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SDMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOD4182功能描述:MOSFET N-CH 80V 53A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SDMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOD4184制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Plastic Encapsulated Device
AOD4184_09制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:40V N-Channel MOSFET
AOD4184A功能描述:MOSFET N-CH 40V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOD4184L制造商:AOS 功能描述:MOSFET
AOD4185功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOD4186功能描述:MOSFET N-CH 40V 10A TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AOD4187制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
